Dzisiaj jest piatek, 05 grudnia 2008 r. 340 dzien roku
Languages:ar | id | bg | ca | ceb | cs | da | de | et | en | es | eo | fr | he | hr | it | ko | lt | hu | nl | ja | no | pl | pt | ru | ro | sk | sl | sr | fi | sv | te | tr | uk | zh






REKLAMA
mp3

Tümleşik devre

Vikipedi, özgür ansiklopedi

Git ve: kullan, ara
Tümleşik devre örneği.
Resim:Battery.svg
Elektrik - Elektronik
Devre Elemanları
Pasif Elemanlar
Direnç
Kondansatör
Endüktans
Aktif Elemanlar
Diyot | Tristör | Transistör
Mosfet | LED | LCD
Entegre Devre | MikroiÅŸlemci


Tümleşik devre (ayrıca yonga, çip, entegre devre, mikrodevre, mikroçip, bilgisayar yongası), yarıiletken maddeden oluşan ince bir yüzey üzerine yerleştirilmiş ve küçültülmüş bir elektronik devredir.

Tümleşik devreler, yarıiletken aygıtların boşluk tüplerinin görevlerini yerine getirebileceklerinin deneysel olarak fark edilmesi ile önem kazandılar. 20. yüzyılın ortalarında çok büyük sayıda geçirgecin küçük boylu yongalara yerleştirilebilmesi, elektronik bileşenlerin üretilmesinde yeni bir döneme girilmesine olanak sağladı. Tümleşik devrelerin toplu üretilebilmeleri ve güvenilirlikleri ayrık geçirgeç kullanımının yerini almalarını hızlandırdı.

Tümleşik devrelerin ayrık devrelere göre başlıca iki olumlu yanı sayılabilir: düşük üretim maliyeti ve başarım. Üretim maliyetinin düşüklüğü geçirgeçleri birer birer değil de tek defada ışıklı taş baskı (fotolitografi) aracılığı ile basılmaları sayesinde gerçekleşmekte. Başarımın yüksekliği ise bileşenlerin yakınlığı ve dolayısıyla daha az güç kullanımına bağlıdır. 2006'ya varıldığında ortalama yonga alanları 1 ile 350 mm2 arasında olup milimetre başına 1 milyon geçirgeç kullanılabilmektedir.

Günümüzde tümleşik devre satışları dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır. Tümleşik devre üretiminde silikon temelli CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) teknolojisi hakim durumdadır. CMOS teknolojisi, transistör başına düşük maliyetler sağladığı ve büyük miktarlarda yonga üretimine olanak verdiği için tercih edilmektedir. Bunun dışında, özellikle daha yüksek hızda ya da düşük gürültü ile çalışması istenen devrelerde SiGe BJT ya da GaAs temelli teknolojileri de kullanılabilmektedir.

Türkiye'de İstanbul Teknik Üniversitesi [VLSI Lab.] http://www.ehb.itu.edu.tr/arastirma/laboratuvarlar/VLSI_Lab.pdf [http://esaki.ee.boun.edu.tr/ Boğaziçi Üniversitesi, Sabancı Üniversitesi ve diğer üniversitelerimizde tümleşik devre tasarımı konusunda araştırmalar yürütülmektedir. Bunun dışında, İstanbul'da ST Microelectronics, Maxim ve Spectra Linear firmalarının tasarım gruplarında tümleşik devre tasarımı yapılmaktadır. Bunun dışında, Vestel firması Bahçeşehir Üniversitesiyle işbirliği ile sayısal tümleşik devrelerin tasarımına yönelik yüksek lisans çalışmalarını desteklemektedirç


Polska, Dolar, Forex


Wikipedia jest zarejestrowanym znakiem towarowym Wikimedia Foundation
Wszystkie materia³y pochodz¹ z Wikipedii, obiête s¹ licencj¹ GNU Free Documentation License